用于射频领域的SiC JFET器件以及射频器件
实质审查的生效
摘要
本申请提供了一种用于射频领域的SiC JFET器件以及射频器件，该SiC JFET器件包括衬底、栅极线以及源极线，栅极线以及源极线均位于衬底的表面上，栅极线与源极线不连接，其中，源极线与衬底中的源区对应接触；栅极线包括第一总线以及多个间隔设置的第一干线，第一干线与第一总线直接连接，或者一个第一干线通过至少一个其他的第一干线与第一总线连接；源极线与源区对应接触，源极线包括第二总线以及多个间隔设置的第二干线，第二干线与第二总线直接连接，或者一个第二干线通过至少一个其他的第二干线与第二总线连接，且第一干线与第二干线交替设置。保证了均流效果较好以及寄生电感一致性效果较好。
基本信息
专利标题 ：
用于射频领域的SiC JFET器件以及射频器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335167A
申请号 ：
CN202111583671.1
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
祁金伟彭虎
申请人 ：
深圳市千屹芯科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区福海街道和平社区蚝业路4号A133
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
张岳峰
优先权 ：
CN202111583671.1
主分类号 ：
H01L29/423
IPC分类号 ：
H01L29/423 H01L29/16 H01L29/808
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/423
申请日 : 20211222
申请日 : 20211222
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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