应用于射频放大的RFLDMOS器件
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摘要
本实用新型公开了一种应用于射频放大的RFLDMOS器件。所述RFLDMOS器件包括依次叠层设置的衬底和外延层,所述外延层内分布有沟道区、漂移区和阱区,所述漂移区内形成有漏区,所述阱区内形成有源区和掺杂区,所述沟道区还分别与所述阱区、漂移区电性接触或电性结合,所述源区还与所述掺杂区电性接触或电性结合;以及,源极、栅极和漏极,所述栅极对应设置在所述沟道区的上方,所述源极与所述源区电连接,所述漏极与所述漏区电连接,所述源极还经一导电通道与所述衬底连接;所述衬底、外延层、阱区和掺杂区均为第一掺杂类型,所述沟道区、漂移区、源区、漏区均为第二掺杂类型。本实用新型提供的RFLDMOS器件,有效抑制了沟道热载流子注入效应,提升了电流密度。
基本信息
专利标题 :
应用于射频放大的RFLDMOS器件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021823054.5
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-08-27
授权号 :
CN212625593U
授权日 :
2021-02-26
发明人 :
彭虎莫海锋岳丹诚
申请人 :
苏州华太电子技术有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市工业园区星湖街328号创意产业园10-1F
代理机构 :
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
赵世发
优先权 :
CN202021823054.5
主分类号 :
H01L29/78
IPC分类号 :
H01L29/78 H01L29/06 H01L21/336
法律状态
2021-02-26 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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