应用于射频放大的RFLDMOS器件
授权
摘要
本实用新型公开了一种应用于射频放大的RFLDMOS器件。所述RFLDMOS器件包括依次叠层设置的衬底和外延层，所述外延层内分布有沟道区、漂移区和阱区，所述漂移区内形成有漏区，所述阱区内形成有源区和掺杂区，所述沟道区还分别与所述阱区、漂移区电性接触或电性结合，所述源区还与所述掺杂区电性接触或电性结合；以及，源极、栅极和漏极，所述栅极对应设置在所述沟道区的上方，所述源极与所述源区电连接，所述漏极与所述漏区电连接，所述源极还经一导电通道与所述衬底连接；所述衬底、外延层、阱区和掺杂区均为第一掺杂类型，所述沟道区、漂移区、源区、漏区均为第二掺杂类型。本实用新型提供的RFLDMOS器件，有效抑制了沟道热载流子注入效应，提升了电流密度。
基本信息
专利标题 ：
应用于射频放大的RFLDMOS器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021823054.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-27
授权号 ：
CN212625593U
授权日 ：
2021-02-26
发明人 ：
彭虎莫海锋岳丹诚
申请人 ：
苏州华太电子技术有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区星湖街328号创意产业园10-1F
代理机构 ：
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
赵世发
优先权 ：
CN202021823054.5
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/06 H01L21/336
法律状态
2021-02-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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