应用于射频放大的多层阱区LDMOS器件及其制法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种应用于射频放大的多层阱区LDMOS器件及其制法。所述多层阱区LDMOS器件包括衬底和外延层，所述外延层内分布有沟道区、漂移区、多层深阱区结构，所述漂移区内形成有漏区，所述多层深阱区结构包括沿器件纵向方向依次叠设的多个深阱区，且所述多层深阱区结构内形成有源区和掺杂区；以及，源极、漏极和栅极；其中，所述衬底、外延层、多层深阱区结构和掺杂区均为第一掺杂类型，所述沟道区、漂移区、源区、漏区均为第二掺杂类型。该应用于射频放大的多层阱区LDMOS器件，利用多层深阱区结构在沟道区下方形成场板效应，可以辅助N型沟道区的耗尽，降低漏电。
基本信息
专利标题 ：
应用于射频放大的多层阱区LDMOS器件及其制法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464663A
申请号 ：
CN202011242839.8
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2020-11-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
莫海锋彭虎岳丹诚
申请人 ：
苏州华太电子技术有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区星湖街328号创意产业园10-1F
代理机构 ：
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
赵世发
优先权 ：
CN202011242839.8
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/40 H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20201109
申请日 : 20201109
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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