应用于射频放大的沟道掺杂调制RFLDMOS器件及制法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种应用于射频放大的沟道掺杂调制RFLDMOS器件及制法。RFLDMOS器件包括衬底和外延层，所述外延层内分布有多层沟道区、漂移区和深阱区，所述漂移区内形成有漏区，所述深阱区内形成有源区，所述多层沟道区包括多个沟道，至少一个沟道与所述源区电连接，至少一个沟道与所述漂移区电连接；以及，源极、栅极和漏极，所述栅极对应设置在所述多层沟道区的上方，所述源极与所述源区电连接，所述漏极与所述漏区电连接，所述源极还经导电通道与所述衬底连接。本发明提供的RFLDMOS器件，将沟道通道从器件表面转移至器件体内形成埋沟，沟道通道的有效电子迁移率提升了30％以上，同时降低了栅极电压，有效抑制了沟道通道的热载流子注入效应。
基本信息
专利标题 ：
应用于射频放大的沟道掺杂调制RFLDMOS器件及制法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551595A
申请号 ：
CN202011316287.0
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2020-11-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
岳丹诚莫海锋彭虎
申请人 ：
苏州华太电子技术有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区星湖街328号创意产业园10-1F
代理机构 ：
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
赵世发
优先权 ：
CN202011316287.0
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/06 H01L21/336 H01L29/10
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20201120
申请日 : 20201120
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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