基于P沟道和N沟道MOSFET管的PWM功率放大电路
实质审查的生效
摘要
本发明提出了一种基于P沟道和N沟道MOSFET管的PWM功率放大电路,不需要泵升电路来进行桥式电路上桥臂的导通,电路输出能够恒保持为高电平。本发明电路构造简单,对栅极驱动模块要求低,不需要泵升电路来进行桥式电路上桥臂的导通;电路输出可恒保持为高电平。
基本信息
专利标题 :
基于P沟道和N沟道MOSFET管的PWM功率放大电路
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114362612A
申请号 :
CN202111440073.9
公开(公告)日 :
2022-04-15
申请日 :
2021-11-30
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
乔海岩孟凡强刘新波李泽锋李仲彬韩丽娟井孟凯
申请人 :
河北汉光重工有限责任公司
申请人地址 :
河北省邯郸市经济开发区和谐大街8号
代理机构 :
北京理工大学专利中心
代理人 :
袁瑞霞
优先权 :
CN202111440073.9
主分类号 :
H02P7/28
IPC分类号 :
H02P7/28 H03F3/21
法律状态
2022-05-03 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H02P 7/28
申请日 : 20211130
申请日 : 20211130
2022-04-15 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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