功率放大芯片和功率放大电路
授权
摘要

本实用新型公开了一种功率放大芯片和功率放大电路。芯片包括第一级放大电路和至少一个第二级放大电路,第一级放大电路与第二级放大电路在芯片内部绝缘设置;第一级放大电路与第二级放大电路用于通过至少一个位于芯片外部的外部相移单元在合路点处合路,第一级放大电路包括第一放大级和第一相移单元,第二级放大电路包括第二放大级和第二相移单元,第一放大级与合路点之间相位延迟为第一相位延迟,第二放大级与合路点之间的相位延迟为第二相位延迟;第一相移单元的相移值小于第一相位延迟,和/或,第二相移单元的相移值小于第二相位延迟。本实用新型实施例提供的功率放大芯片工作条件下相移不准确时能够很方便地进行维护。

基本信息
专利标题 :
功率放大芯片和功率放大电路
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021981732.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-09-11
授权号 :
CN212785274U
授权日 :
2021-03-23
发明人 :
刘鑫阎述昱
申请人 :
苏州能讯高能半导体有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市昆山市高新区晨丰路18号
代理机构 :
北京品源专利代理有限公司
代理人 :
孟金喆
优先权 :
CN202021981732.0
主分类号 :
H03F3/21
IPC分类号 :
H03F3/21  H03F3/24  
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法律状态
2021-03-23 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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