基于GaN基增强型器件的单片集成反相器及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种基于GaN基增强型器件的单片集成反相器及其制备方法，其中，反相器自下而上依次包括衬底、缓冲层、UID‑GaN层、AlGaN势垒层、UID‑InGaN层以及p‑InGaN层，器件中间设有一深至UID‑GaN层的隔离槽以将器件分为左右两部分；其中，器件左侧的p‑InGaN层上设有第一源电极和第一漏电极，第一源电极和第一漏电极之间设有深至p‑InGaN层的第一栅电极，以形成p沟道增强型异质结构场效应晶体管；器件右侧的AlGaN势垒层上设有第二源电极和第二漏电极，p‑InGaN层上设有第二栅电极，以形成n沟道增强型异质结构场效应晶体管。本发明提供的器件提高了p沟道GaN增强型器件的饱和电流密度，降低了导通电阻；同时抑制了n沟道GaN增强型器件的栅漏电，提高了栅压摆幅。
基本信息
专利标题 ：
基于GaN基增强型器件的单片集成反相器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420742A
申请号 ：
CN202111300410.4
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2021-11-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张苇杭樊昱彤张进成刘茜付李煜黄韧许国富文钰郝跃张晓东
申请人 ：
西安电子科技大学广州研究院
申请人地址 ：
广东省广州市黄埔区中新知识城海丝中心B5、B6、B7栋
代理机构 ：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘长春
优先权 ：
CN202111300410.4
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/80 H01L29/205 H01L21/335
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20211104
申请日 : 20211104
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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