单片集成的射频器件及集成电路系统
授权
摘要

本实用新型提供一种单片集成的射频器件及集成电路系统,射频器件包括键合连接的滤波器与电子器件;电子器件的第一缓冲层设置在第一基板上,第三单晶层远离第二单晶层的一侧设置有钝化层,钝化层上设置有连接滤波器与电子器件的通孔;滤波器的金属电极设置在压电薄膜与布拉格反射层之间,布拉格反射层与钝化层键合连接,电极互连孔贯穿布拉格反射层,顶电极与电极接触点设置在压电薄膜远离金属电极一侧,通过电极互连孔与通孔连接。本实用新型能够将射频前端模块上不同类型的多个电子器件集成在同一个芯片中,避免了需要额外设计线路的问题,减少了电气连接损失,降低了装配复杂性,减少了射频前端模块的尺寸和成本。

基本信息
专利标题 :
单片集成的射频器件及集成电路系统
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921402599.6
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-08-27
授权号 :
CN210467842U
授权日 :
2020-05-05
发明人 :
李国强
申请人 :
广州市艾佛光通科技有限公司
申请人地址 :
广东省广州市黄埔区金中路23号自编一栋办公区303房
代理机构 :
广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙)
代理人 :
杨艳
优先权 :
CN201921402599.6
主分类号 :
H01L27/20
IPC分类号 :
H01L27/20  H01L41/311  
法律状态
2020-05-05 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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