单片光子集成器件整片制作结构

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摘要

本公开提供一种单片光子集成器件整片制作结构，其中包括多列相邻设置的集成器件单元组，每列集成器件单元组包括多个集成器件单元，每个集成器件单元包括两个光器件和刻蚀凹槽，所述两个光器件通过脊型波导串联；每列集成器件单元组中的集成器件单元与相邻列交错设置，使得在横向，一列集成器件单元的脊型波导与相邻列集成器件单元的刻蚀凹槽相对，或一列集成器件单元的刻蚀凹槽与相邻列集成器件单元的脊型波导相对。所述整片制作结构摒弃了传统的巴条解理、装架镀膜和再解理测试的繁杂步骤，实现了光子集成器件的整片镀膜和测试筛选，大大降低了光子集成器件的制作和测试成本；减少了集成器件单元的底面和端面反射光对在线测试数据的干扰。

基本信息

专利标题：

单片光子集成器件整片制作结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111082311A

申请号：

CN201911422971.4

公开（公告）日：

2020-04-28

申请日：

2019-12-31

授权号：

CN111082311B

授权日：

2022-04-01

发明人：

黄永光朱洪亮王宝军张瑞康

申请人：

中国科学院半导体研究所

申请人地址：

北京市海淀区清华东路甲35号

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

吴梦圆

优先权：

CN201911422971.4

主分类号：

H01S5/026

IPC分类号：

H01S5/026 H01S5/223 H01S5/40