多晶硅电阻器件及其制作方法、光子检测器件及其制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供多晶硅电阻器件及其制作方法、光子检测器件及其制作方法。多晶硅电阻器件的制作方法中，包括：对多晶硅材料层进行中性粒子掺杂；对中性粒子掺杂后的多晶硅材料层进行载流子掺杂；图形化多晶硅材料层，形成多晶硅电阻。工艺简单易操作；中性粒子的引入不会降低多晶硅电阻的阻值，而且通过中性粒子掺杂，多晶硅电阻中原本较大的晶粒被打散，形成更多的晶界，增加对载流子的捕获能力，提高了多晶硅电阻的热稳定性。本发明光子检测器件包括SPAD和多晶硅电阻，多晶硅电阻掺杂有中性粒子和载流子，多晶硅电阻确保高阻同时，提高了温度稳定性，在高温时多晶硅电阻阻值稳定，可以起到预定分压作用，从而达到淬灭的效果。
基本信息
专利标题 ：
多晶硅电阻器件及其制作方法、光子检测器件及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284432A
申请号 ：
CN202111531964.5
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
魏丹清杨帆
申请人 ：
武汉新芯集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
田婷
优先权 ：
CN202111531964.5
主分类号 ：
H01L49/02
IPC分类号 ：
H01L49/02 H01L27/144 G01S17/894 G01S7/483
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 49/02
申请日 : 20211214
申请日 : 20211214
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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