LDMOS器件及其制作方法
实质审查的生效
摘要
本申请公开了一种LDMOS器件及其制作方法，所述制作方法包括：提供FDSOI衬底，所述FDSOI衬底包括由下至上依次层叠的硅衬底、埋氧化层和顶层硅；在所述FDSOI衬底上定义有源区和隔离区，并在所述隔离区形成隔离结构；在所述FDSOI衬底上定义漂移区，并在部分所述漂移区形成混合区；在含有所述埋氧化层的所述FDSOI衬底内形成第一阱区，在所述漂移区形成第二阱区；在所述第二阱区形成第一埋层和第二埋层，所述第一埋层位于所述埋氧化层与所述第二埋层之间。应用发明提供的技术方案，可以提高LDMOS的击穿电压，同时降低导通电阻，改善器件的漏电流，提高LDMOS的开关特性与耐击穿性，从而提高LDMOS的器件性能。
基本信息
专利标题 ：
LDMOS器件及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361037A
申请号 ：
CN202111648572.7
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
嵇彤叶甜春朱纪军李彬鸿罗军赵杰许静许滨滨王国庆
申请人 ：
广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;澳芯集成电路技术（广东）有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市开发区开源大道136号A栋
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
王娇娇
优先权 ：
CN202111648572.7
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L29/06 H01L29/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/336
申请日 : 20211229
申请日 : 20211229
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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