高速DreaMOS器件及其制作方法
公开
摘要
本发明公开了一种高速DreaMOS器件及其制作方法。所述高速DreaMOS器件包括半导体结构层和与半导体结构层配合的栅氧化层、栅极，所述半导体结构层包括外延层和形成在所述外延层内的阱区、阱区接触区、漏区延伸区及漏区，所述外延层内还形成有多个源区和多个沟道掺杂区，其中，所述多个沟道掺杂区分别形成在所述外延层的不同深度区域，其中至少两个源区具有不同的结深。本发明实施例提供的高速DreaMOS器件，减少了阱区的高温退火过程，简化了器件制作工艺，提高了器件一致性。
基本信息
专利标题 ：
高速DreaMOS器件及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582961A
申请号 ：
CN202011375199.8
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2020-11-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
莫海锋彭虎岳丹诚
申请人 ：
苏州华太电子技术有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区星湖街328号创意产业园10-1F
代理机构 ：
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
赵世发
优先权 ：
CN202011375199.8
主分类号 ：
H01L29/10
IPC分类号 ：
H01L29/10 H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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