MOS器件及其制作方法
实质审查的生效
摘要
本申请公开了一种MOS器件及其制作方法，该器件包括：衬底；外延层，其形成于衬底上；栅极结构，其形成于外延层中，所述栅极结构包括栅极以及包覆所述栅极的周侧和底部的栅介质层；栅极结构两侧的外延层中形成有第一重掺杂区和第二重掺杂区，栅极结构两侧下方的外延层中形成有第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区和第一重掺杂区之间的外延层中形成有第三重掺杂区，第二掺杂区和第二重掺杂区之间的外延层中形成有第四重掺杂区，第三重掺杂区分别与第一掺杂区和第一重掺杂区相连，第四重掺杂区分别与第二掺杂区和第二重掺杂区相连；栅极结构下方的外延层中形成柱形掺杂区；层间介电层，其形成于栅极结构的顶部。
基本信息
专利标题 ：
MOS器件及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267721A
申请号 ：
CN202111541398.6
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-12-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
宋婉许昭昭
申请人 ：
华虹半导体（无锡）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区新洲路30号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
黎伟
优先权 ：
CN202111541398.6
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/423 H01L21/336 H01L29/78
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20211216
申请日 : 20211216
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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