垂直型器件的制作方法
公开
摘要
一种垂直型器件的制作方法，首先自正面(10a)刻蚀GaN基半导体衬底(10)形成凹槽(101)；接着在凹槽(101)的底壁、侧壁以及半导体衬底正面(10a)依次形成P型半导体层(11)与N型半导体层(12)，P型半导体层(11)部分填充凹槽(101)；之后，平坦化N型半导体层(12)与P型半导体层(11)，且保留凹槽(101)内的P型半导体层(11)和N型半导体层(12)；再接着分别在半导体衬底正面(10a)的栅极区域形成栅极结构(13)、在栅极结构(13)的两侧形成源极(14)，以及在半导体衬底背面(10b)形成漏极(15)。避免刻蚀N型半导体层(12)以及P型半导体层(11)来制作栅极结构(13)，进而避免刻蚀深度难以精准控制导致的栅极结构(13)控制能力偏离预设计的控制能力，从而垂直型器件的性能可通过制作工艺精准可控。
基本信息
专利标题 ：
垂直型器件的制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114303249A
申请号 ：
CN201980099912.X
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2019-09-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
程凯
申请人 ：
苏州晶湛半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-A室
代理机构 ：
北京博思佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
梁鹏
优先权 ：
CN201980099912.X
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/12 H01L21/336
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
