垂直导电电子功率器件及电子器件
授权
摘要
公开了垂直导电电子功率器件及电子器件。垂直导电电子功率器件由具有第一导电类型并具有表面的宽带隙半导体的主体形成，并且由漂移区和由该表面限定的多个表面部分形成。该电子器件还由多个具有第二导电类型的第一注入区和多个金属部分形成，该多个第一注入区从表面延伸到漂移区中，该多个金属部分布置在该表面上。每个金属部分与多个表面部分中的相应表面部分肖特基接触，以形成由第一肖特基二极管和第二肖特基二极管形成的多个肖特基二极管，其中，第一肖特基二极管在平衡时具有肖特基势垒，该肖特基势垒的高度不同于第二肖特基二极管的肖特基势垒的高度。本实用新型的技术提供了具有改进性能的电子半导体功率器件，降低了功耗和漏电流。
基本信息
专利标题 ：
垂直导电电子功率器件及电子器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202121593333.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-07-14
授权号 ：
CN216413089U
授权日 ：
2022-04-29
发明人 ：
S·拉斯库纳
申请人 ：
意法半导体股份有限公司
申请人地址 ：
意大利阿格拉布里安扎
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
董莘
优先权 ：
CN202121593333.1
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L27/02
法律状态
2022-04-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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