垂直结构功率器件的结构、制造方法及电力电子设备
实质审查的生效
摘要
一种垂直结构功率器件的结构、制造方法及电力电子设备，属于半导体技术领域，通过包括P型层、介电层、第一N型区、隔离区、第二N型区、P型区和第三N型区、N型半导体柱、P型半导体柱以及金属层；第一N型区、隔离区以及第二N型区位于于P型层的上表面和介电层的下表面之间且在水平面上依次排列；相互连接的P型区和第三N型区设置于介电层的上表面；N型半导体柱设置于介电层中且连接P型区和第一N型区；P型半导体柱设置于介电层中且连接第二N型区和第三N型区；金属层设置于介电层和第二N型区之间以及P型半导体柱的侧表面；故无需额外绕线连接，简化了工艺且提高了可靠性。
基本信息
专利标题 ：
垂直结构功率器件的结构、制造方法及电力电子设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114429953A
申请号 ：
CN202111679649.7
公开（公告）日 ：
2022-05-03
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
曾健忠
申请人 ：
深圳天狼芯半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市福田区车公庙金润大厦18E
代理机构 ：
深圳中一联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
阳方玉
优先权 ：
CN202111679649.7
主分类号 ：
H01L27/06
IPC分类号 ：
H01L27/06 H01L23/48 H01L21/8222
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/06
在非重复结构中包括有多个单个组件的
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/06
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-05-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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