复合功率器件的结构、制造方法及电力电子设备
实质审查的生效
摘要
一种复合功率器件的结构、制造方法及电力电子设备，属于半导体技术领域，通过包括平行于水平面设置的n个堆叠层；n为大于1的自然数；在每个堆叠层中，在横向方向上和在纵向方向上，均间隔设置多个功率元件；在垂直于水平面的方向，相邻的堆叠层的相邻行的多个功率元件交错设置，且相邻的堆叠层的相邻列的多个功率元件交错设置；故通过交错布局的立体并联结构，在单位面积内制造更多的并联的功率元件，以在单位面积内实现更大的电流的驱动，提高了复合功率器件的效能。
基本信息
专利标题 ：
复合功率器件的结构、制造方法及电力电子设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420691A
申请号 ：
CN202111583824.2
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2021-12-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
曾健忠
申请人 ：
深圳天狼芯半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市福田区车公庙金润大厦18E
代理机构 ：
深圳中一联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
阳方玉
优先权 ：
CN202111583824.2
主分类号 ：
H01L27/082
IPC分类号 ：
H01L27/082 H01L27/088 H01L27/07 H01L27/02 H01L21/8222 H01L21/8234 H01L21/8249
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/082
只包含双极型的组件
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/082
申请日 : 20211222
申请日 : 20211222
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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