半导体器件及其制造方法、以及电子设备
授权
摘要
本发明涉及半导体器件及其制造方法、以及电子设备。本发明的目的是简化在形成多层布线过程中处理布线所需的步骤。此外，当使用微滴排放法或纳米印刷法在具有相当长直径的接触孔中形成布线时，按照接触孔的形状形成布线，并且接触孔的布线部分相对于其它部分可能具有凹陷。通过使用具有高强度和高重复频率的激光照射透光绝缘膜来形成穿透开口。提供具有微小接触区域的多个开口，而不是形成一个具有大的接触区域的开口，以便通过减少局部凹陷而具有均匀厚度的布线，并且也确保接触电阻。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其制造方法、以及电子设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101436600A
申请号 ：
CN200810185259.2
公开（公告）日 ：
2009-05-20
申请日 ：
2006-01-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
桑原秀明山本裕子
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
秦 晨
优先权 ：
CN200810185259.2
主分类号 ：
H01L27/12
IPC分类号 ：
H01L27/12 H01L29/786 H01L29/24 H01L23/522 H01L21/84 H01L21/768 H01L21/336
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法律状态
2011-11-09 ：
授权
2009-07-15 ：
实质审查的生效
2009-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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