垂直功率MOS半导体器件
授权
摘要
本实用新型公开一种垂直功率MOS半导体器件，包括：位于硅片下表面的重掺杂N型漏极区和位于硅片上表面的中掺杂P型基极区，所述重掺杂N型漏极区和中掺杂P型基极区之间具有一轻掺杂N型漂移区，一位于中掺杂P型基极区中沟槽延伸至轻掺杂N型漂移区下部；位于N型漂移区内且包覆于沟槽下部的外侧壁上具有一P型掺杂扩散区，此P型掺杂扩散区上端面与P型基极区的下表面接触；所述沟槽内下部具有第二N型源极部，此沟槽内上部具有栅极部。本实用新型垂直功率MOS半导体器件可提高轻掺杂N型漂移区的掺杂浓度，增加耐压的情况下，将关断时将导通电阻降低。
基本信息
专利标题 ：
垂直功率MOS半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021210089.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-28
授权号 ：
CN212342637U
授权日 ：
2021-01-12
发明人 ：
陈译陆佳顺杨洁雯
申请人 ：
苏州硅能半导体科技股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城NW20幢501室
代理机构 ：
苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人 ：
马明渡
优先权 ：
CN202021210089.1
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/423
法律状态
2021-01-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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