电子器件和功率MOSFET器件
授权
摘要
本公开涉及电子器件和功率MOSFET器件。例如，一种电子器件包括：控制端子，在衬底的第一面上延伸；第一导电端子，在衬底中在衬底的第一面处延伸；第一绝缘层，夹置在控制端子和第一导电端子之间；导电路径，可以在偏置电压下被偏置；以及保护元件，耦合至控制端子和导电路径，保护元件在控制端子和导电路径之间形成电连接，并且被配置为在控制端子和第一导电端子之间通过第一绝缘层存在高于临界阈值的泄露电流的情况下熔化并由此中断电连接。
基本信息
专利标题 ：
电子器件和功率MOSFET器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920471545.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-09
授权号 ：
CN209896056U
授权日 ：
2020-01-03
发明人 ：
F·帕塔内A·鲁索
申请人 ：
意法半导体股份有限公司
申请人地址 ：
意大利阿格拉布里安扎
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
王茂华
优先权 ：
CN201920471545.9
主分类号 ：
H01L23/525
IPC分类号 ：
H01L23/525 H01L27/02
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
H01L23/525
具有可适用互连装置的
法律状态
2020-01-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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