高可靠性垂直功率MOS器件
授权
摘要
本实用新型公开一种高可靠性垂直功率MOS器件，包括：位于硅片下表面的重掺杂N型漏极区和位于硅片上表面的中掺杂P型基极区，所述重掺杂N型漏极区和中掺杂P型基极区之间具有一轻掺杂N型漂移区，一位于中掺杂P型基极区中沟槽延伸至轻掺杂N型漂移区下；沟槽内下部具有第二N型源极部，此沟槽内上部具有栅极部，所述第二N型源极部和栅极部与沟槽之间填充有第一氧化硅层，所述第二N型源极部和栅极部之间通过第二氧化硅层隔离，所述沟槽底部具有一位于轻掺杂N型漂移区内的中掺杂N型部。本发明高可靠性垂直功率MOS器件可提高轻掺杂N型漂移区的掺杂浓度，增加耐压的情况下，将关断时将导通电阻降低，且改善了器件可靠性。
基本信息
专利标题 ：
高可靠性垂直功率MOS器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020573471.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-17
授权号 ：
CN212161821U
授权日 ：
2020-12-15
发明人 ：
陈译陆佳顺杨洁雯
申请人 ：
苏州硅能半导体科技股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城NW20幢501室
代理机构 ：
苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人 ：
马明渡
优先权 ：
CN202020573471.2
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/423 H01L29/06
法律状态
2020-12-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
