具有前侧接触和垂直沟槽隔离的半导体器件及其制作方法
专利权的终止
摘要
一种在绝缘体上半导体(SOI)衬底(20)中形成接触柱(36)和周围隔离沟槽(28)的方法。所述方法包括：从衬底(20)的有源层(6)向绝缘层(4)刻蚀接触孔(26)和周围隔离沟槽(28)；对沟槽(28)进行掩模，然后进一步将接触孔(26)刻蚀到底部衬底层(2)；用未掺杂的本征多晶硅(34)填充沟槽(28)和接触孔(26)；然后关于填充接触孔(26)的多晶硅材料实行掺杂工艺，形成原位高掺杂接触柱(36)，而填充沟槽(28)的材料保持非导电。所述方法能够同时形成隔离沟槽和接触柱，从而避免器件制作工艺的不适当干扰。
基本信息
专利标题 ：
具有前侧接触和垂直沟槽隔离的半导体器件及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101040374A
申请号 ：
CN200580035334.1
公开（公告）日 ：
2007-09-19
申请日 ：
2005-10-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
沃尔夫岗·劳舍尔
申请人 ：
皇家飞利浦电子股份有限公司
申请人地址 ：
荷兰艾恩德霍芬
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
陈瑞丰
优先权 ：
CN200580035334.1
主分类号 ：
H01L21/74
IPC分类号 ：
H01L21/74 H01L27/12
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/74
杂质高度集中的埋层的制作，例如集电极埋层、内部连接线
法律状态
2016-11-30 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101690192444
IPC(主分类) : H01L 21/74
专利号 : ZL2005800353341
申请日 : 20051013
授权公告日 : 20090805
终止日期 : 20151013
号牌文件序号 : 101690192444
IPC(主分类) : H01L 21/74
专利号 : ZL2005800353341
申请日 : 20051013
授权公告日 : 20090805
终止日期 : 20151013
2009-08-05 ：
授权
2008-04-23 ：
专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 皇家飞利浦电子股份有限公司
变更后权利人 : NXP股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 荷兰艾恩德霍芬
变更后权利人 : 荷兰艾恩德霍芬
登记生效日 : 20080328
变更前权利人 : 皇家飞利浦电子股份有限公司
变更后权利人 : NXP股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 荷兰艾恩德霍芬
变更后权利人 : 荷兰艾恩德霍芬
登记生效日 : 20080328
2007-12-19 ：
实质审查的生效
2007-09-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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