多晶硅-绝缘体-多晶硅电容器及其制作方法
公开
摘要
本发明公开一种多晶硅‑绝缘体‑多晶硅电容器及其制作方法，其中该多晶硅‑绝缘体‑多晶硅电容器包含一基底，具有一电容形成区域；一第一电容介电层，设置在电容形成区域上；一第一多晶硅电极，设置在第一电容介电层上；一第二电容介电层，设置在第一多晶硅电极上；一第二多晶硅电极，设置在第二电容介电层上；一第三多晶硅电极，设置在邻近第二多晶硅电极的第一侧壁；一第三电容介电层，设置在第三多晶硅电极和第二多晶硅电极之间；一第四多晶硅电极，设置在邻近第二多晶硅电极的第二侧壁；以及一第四电容介电层，设置在第四多晶硅电极和第二多晶硅电极之间。
基本信息
专利标题 ：
多晶硅-绝缘体-多晶硅电容器及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613908A
申请号 ：
CN202011587377.3
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2020-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
方玲刚
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陈小雯
优先权 ：
CN202011587377.3
主分类号 ：
H01L49/02
IPC分类号 ：
H01L49/02 H01L27/115
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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