具有基于沟槽的金属-绝缘体-金属电容器的IC
公开
摘要
本公开提供一种集成电路(IC)(200)，其包含衬底(208)的半导体表面层(209)，所述半导体表面层(209)包含形成在所述半导体表面层中的连同金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器(220)一起配置的电路系统(180)。所述半导体表面层上的多层金属堆叠包含包括底部电容器板触点(240a)的底部板接触金属层(240)。第一层级间电介质(ILD)层(218)在所述底部板接触金属层上方。所述MIM电容器包含所述底部电容器板触点上方的所述第一ILD层中的沟槽，其中所述沟槽由其上具有电容器电介质层(222a)的底部电容器板(221a)内衬，且顶部电容器板在所述电容器电介质层上。填充材料填充所述沟槽以形成经填充沟槽(225)。第二ILD层(219)在上方，包含在所述经填充沟槽上方。穿过所述第二层ILD层的经填充通路(245a)提供与所述顶部电容器板上的顶部板触点(224a)的接触。
基本信息
专利标题 ：
具有基于沟槽的金属-绝缘体-金属电容器的IC
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114342063A
申请号 ：
CN202080062936.0
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-09-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
M·M·伊萨U·阿古尔拉姆P·马哈灵音E·W·金德B·斯里尼瓦桑B·E·古德林
申请人 ：
德州仪器公司
申请人地址 ：
美国德克萨斯州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
林斯凯
优先权 ：
CN202080062936.0
主分类号 ：
H01L21/77
IPC分类号 ：
H01L21/77 H01L27/06
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
法律状态
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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