在衬底中具有金属-绝缘体-金属(MIM)电容器的非易失性...
实质审查的生效
摘要
本发明涉及在衬底中具有金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器的非易失性存储器器件和集成方案。提供了一种非易失性存储器器件。该非易失性存储器器件包括布置在第一有源区之上的浮置栅极，其中第一有源区位于衬底的有源层中。金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器可以与浮置栅极横向相邻地布置，其中金属‑绝缘体‑金属电容器的一部分位于有源层中。接触柱可以将金属‑绝缘体‑金属电容器的第一电极连接到浮置栅极。
基本信息
专利标题 ：
在衬底中具有金属-绝缘体-金属(MIM)电容器的非易失性存储器器件和集成方案
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114530453A
申请号 ：
CN202111149945.6
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2021-09-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
文凤雄具正谋
申请人 ：
格芯新加坡私人有限公司
申请人地址 ：
新加坡新加坡市
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
贺月娇
优先权 ：
CN202111149945.6
主分类号 ：
H01L27/11521
IPC分类号 ：
H01L27/11521 H01L23/64
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器；其多步骤制造方法
H01L27/11517
具有浮栅的
H01L27/11521
以存储器核心区为特征的
法律状态
2022-06-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/11521
申请日 : 20210929
申请日 : 20210929
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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