集成DRAM存储器件
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明的一个实施例提供了一种集成存储器件，包括多个包括存储单元的存储块，其中存储单元排列成位线和字线的矩阵，其中该多个存储块包括第一组存储块，其存储单元具有第一随机存取时间，以及第二组存储块，其存储单元具有第二随机存取时间，其中第二随机存取时间比第一随机存取时间小。
基本信息
专利标题 ：
集成DRAM存储器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1819056A
申请号 ：
CN200510129454.X
公开（公告）日 ：
2006-08-16
申请日 ：
2005-12-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
P·佩希米勒
申请人 ：
因芬尼昂技术股份公司
申请人地址 ：
德国慕尼黑
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
吴立明
优先权 ：
CN200510129454.X
主分类号 ：
G11C11/401
IPC分类号 ：
G11C11/401 G11C7/00 H01L27/108 H01L25/03
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/401
形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的
法律状态
2009-09-09 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-10-11 ：
实质审查的生效
2006-08-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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