高度集成的半导体存储器件及其制造方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种高度集成半导体存储器件，包括多个在横向和纵向交替地淀积了堆垛型电容器和组合堆垛-沟道型电容器构成的存储单元。存储单元电容器的第一存储电极延伸覆盖相邻存储单元的电容器的存储电极。在衬底上形成组合堆垛-沟道电容器来增加存储电容量，它允许堆垛型电容器的存储电极延伸以便增大存储电容量。由于堆垛-沟道型电容器和堆垛型电容器的交替安置，防止了堆垛-沟道型电容器的台阶覆盖、漏电流和软误差。
基本信息
专利标题 ：
高度集成的半导体存储器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1059050A
申请号 ：
CN90109275.4
公开（公告）日 ：
1992-02-26
申请日 ：
1990-11-15
授权号 ：
CN1030631C
授权日 ：
1996-01-03
发明人 ：
金晟泰金景勋高在弘崔寿汉
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
程天正
优先权 ：
CN90109275.4
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L21/82
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2000-01-05 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1996-01-03 ：
授权
1993-10-27 ：
实质审查请求的生效
1992-02-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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