半导体存储器的制造方法
专利权的终止
摘要
一种半导体存储器的制造方法，其中，提供具有双翅状结构的一种电容器。在由导电层组成的两翅片之间、通过施加能够被湿法腐蚀的厚层平面材料形成存储电极。因此，能够解决由常规结构中的不良台阶差所引起的光刻工艺问题。另外，采用腐蚀速率较大的薄的高温氧化膜形成存储电极。于是改善了单元的构形和减少了存储电极的损坏。
基本信息
专利标题 ：
半导体存储器的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1090090A
申请号 ：
CN93120817.3
公开（公告）日 ：
1994-07-27
申请日 ：
1993-12-10
授权号 ：
CN1035141C
授权日 ：
1997-06-11
发明人 ：
崔永帝郑泰荣朴钟佑金荣毕
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
王以平
优先权 ：
CN93120817.3
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/82
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2012-02-22 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101190111242
IPC(主分类) : H01L 21/02
专利号 : ZL931208173
申请日 : 19931210
授权公告日 : 19970611
终止日期 : 20101210
号牌文件序号 : 101190111242
IPC(主分类) : H01L 21/02
专利号 : ZL931208173
申请日 : 19931210
授权公告日 : 19970611
终止日期 : 20101210
1997-06-11 ：
授权
1996-03-06 ：
实质审查请求的生效
1994-07-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN1090090A.PDF
PDF下载
