半导体存储器及其制造方法
专利权的终止
摘要
一种半导体存储器，包括由交叉连接的触发器组成的单位存储单元，其中，含有第1存取晶体管、第1驱动晶体管的第1反相器与含有第2存取晶体管、第2驱动晶体管的第2反相器形成一个触发器，含有第1负载元件和第1驱动晶体管的第3反相器与含有第2负载元件和第2驱动晶体管的第4反相器形成另外一个触发器，第1和第2存取晶体管的栅由形成字线导电层以外的不同的导电层形成。由此，可增加布图裕度，并保持常规的设计规则。
基本信息
专利标题 ：
半导体存储器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1086048A
申请号 ：
CN93118930.6
公开（公告）日 ：
1994-04-27
申请日 ：
1993-10-12
授权号 ：
CN1034896C
授权日 ：
1997-05-14
发明人 ：
金汉洙金灵台
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
王以平
优先权 ：
CN93118930.6
主分类号 ：
H01L27/105
IPC分类号 ：
H01L27/105 H01L21/82 H01L21/70
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
法律状态
2013-12-25 ：
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101556925201
IPC(主分类) : H01L 27/105
专利号 : ZL931189306
申请日 : 19931012
授权公告日 : 19970514
期满终止日期 : 20131012
号牌文件序号 : 101556925201
IPC(主分类) : H01L 27/105
专利号 : ZL931189306
申请日 : 19931012
授权公告日 : 19970514
期满终止日期 : 20131012
1997-05-14 ：
授权
1996-01-31 ：
实质审查请求的生效
1994-04-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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