半导体存储器装置和制造半导体存储器装置的方法
公开
摘要
一种半导体存储器装置包括：器件隔离图案，其位于衬底上以限定有源区域；字线，其位于衬底中以与有源区域相交；第一掺杂区域，其位于有源区域中并且在字线的第一侧；第二掺杂区域，其位于有源区域中并且在字线的第二侧；位线，其连接到第一掺杂区域并且与字线相交；位线接触件，其将位线连接到第一掺杂区域；着陆焊盘，其位于第二掺杂区域上；以及存储节点接触件，其将着陆焊盘连接到第二掺杂区域，存储节点接触件包括：第一部分，其与第二掺杂区域接触，第一部分包括单晶硅；以及第二部分，其位于第一部分上，并且包括多晶硅。
基本信息
专利标题 ：
半导体存储器装置和制造半导体存储器装置的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582871A
申请号 ：
CN202111455592.2
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2021-12-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
文大荣具滋玟金奎完朴奇洙
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵南
优先权 ：
CN202111455592.2
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L21/8242
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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