本申请案涉及集成电路、存储器电路、用于形成集成电路的方法以及用于形成存储器电路的方法。一种用于形成集成电路系统的方法包括在衬底上方形成导电材料。将所述导电材料图案化成水平地纵向拉长的导电线。使所述导电材料竖直凹入于所述导电线的纵向间隔开的第一区中以形成分别处于个别纵向间隔开的第二区中的纵向间隔开的导电柱，所述纵向间隔开的第二区沿着所述导电线与所述纵向间隔开的第一区纵向交替。所述导电柱相对于所述导电线的所述纵向间隔开并且竖直凹入的第一区中的所述导电材料而竖直突出。在所述导电柱正上方形成电子组件。所述个别电子组件直接电耦合到所述个别导电柱。公开了额外方法，包含独立于方法的结构。