半导体结构和形成集成电路的方法
授权
摘要
本发明提供了半导体结构的一个实施例。该半导体结构包括：半导体衬底，具有并排设置的n型掺杂阱(N阱)和p型掺杂阱(P阱)；第一鳍有源区，从半导体衬底的N阱突出；第二鳍有源区，从半导体衬底的P阱突出；第一隔离部件，形成在N阱和P阱上并且横向接触第一鳍有源区和第二鳍有源区，第一隔离部件具有第一宽度；以及第二隔离部件，插入在N阱和P阱之间，第二隔离部件具有小于第一宽度的第二宽度。本发明的实施例还涉及形成集成电路的方法。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构和形成集成电路的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110838485A
申请号 ：
CN201910755310.7
公开（公告）日 ：
2020-02-25
申请日 ：
2019-08-15
授权号 ：
CN110838485B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
徐国修林祐宽张峰铭苏信文洪连嵘王屏薇
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹
代理机构 ：
北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理人 ：
章社杲
优先权 ：
CN201910755310.7
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L27/11 H01L21/8244 H01L21/762
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2022-05-03 ：
授权
2020-03-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/02
申请日 : 20190815
申请日 : 20190815
2020-02-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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