半导体结构和形成集成电路结构的方法
授权
摘要
本发明的实施例提供了制造半导体结构的方法的一个实施例。该方法包括在半导体衬底上形成复合应力层，其中复合应力层的形成包括形成具有第一压缩应力的介电材料的第一应力层和在第一应力层上形成具有第二压缩应力的介电材料的第二应力层，第二压缩应力大于第一压缩应力；以及使用复合应力层作为蚀刻掩模，图案化半导体衬底以形成鳍有源区域。本发明的实施例还涉及半导体结构和形成集成电路结构的方法。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构和形成集成电路结构的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110729247A
申请号 ：
CN201910637637.4
公开（公告）日 ：
2020-01-24
申请日 ：
2019-07-15
授权号 ：
CN110729247B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
赖韦仁陈燕铭李宗霖
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹
代理机构 ：
北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理人 ：
章社杲
优先权 ：
CN201910637637.4
主分类号 ：
H01L21/8238
IPC分类号 ：
H01L21/8238 H01L27/092 H01L29/78
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8238
互补场效应晶体管，例如CMOS
法律状态
2022-05-03 ：
授权
2020-02-25 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8238
申请日 : 20190715
申请日 : 20190715
2020-01-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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