在集成电路中形成隔离的方法和结构
实质审查请求的生效
摘要
在集成电路中形成电隔离的方法和结构。利用氮化硅场氧化掩模(18)之下的热生长二氧化硅和化学汽相淀积的二氧化硅叠层(14)实现无缺陷的场氧化隔离。该二氧化硅的叠层(14)形成在硅衬底(12)上，然后再在其上淀积一层氮化硅。继而将氮化硅光刻成型，以形成在硅衬底(12)上限定隔离区(22)的场氧化掩模(18)。在硅衬底(12)的隔离区(22)上生长场氧化物(34)，接着除去场氧化掩模(18)。
基本信息
专利标题 ：
在集成电路中形成隔离的方法和结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1087751A
申请号 ：
CN93118940.3
公开（公告）日 ：
1994-06-08
申请日 ：
1993-10-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
詹姆斯·R·菲斯特普拉斯汉特·肯克阿伦肯特·J·库珀比切-彦-古彦
申请人 ：
莫托罗拉公司
申请人地址 ：
美国伊利诺斯
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
王以平
优先权 ：
CN93118940.3
主分类号 ：
H01L21/76
IPC分类号 ：
H01L21/76
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
法律状态
1996-03-20 ：
实质审查请求的生效
1994-06-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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