高压功率集成电路隔离结构

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摘要

本实用新型公开了一种适用于体硅工艺功率集成电路高压器件与低压器件之间隔离的高压功率集成电路隔离结构，包括：P型衬底，在P型衬底设有N型外延，在N型外延上设有2块场氧化层，在N型外延上设有重掺杂N型区且该重掺杂N型区位于2块场氧化层之间，在N型外延内设有2个P型隔离阱，该2个P型隔离阱分别位于2块场氧化层的下方，并且该2个P型隔离阱将N型外延分隔成3块，上述重掺杂N型区位于2个P型隔离阱之间，在2个P型隔离阱的上端分别设有重掺杂P型区，上述重掺杂N型区及重掺杂P型区与零电位相连接。本实用新型能够有效防止体硅高压功率集成电路中寄生可控硅结构触发。

基本信息

专利标题：

高压功率集成电路隔离结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200620165096.8

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2006-12-15

授权号：

CN200993963Y

授权日：

2007-12-19

发明人：

易扬波徐申李海松孙伟锋夏晓娟李杰时龙兴

申请人：

东南大学

申请人地址：

210096江苏省南京市四牌楼2号

代理机构：

南京经纬专利商标代理有限公司

代理人：

陆志斌

优先权：

CN200620165096.8

主分类号：

H01L27/092

IPC分类号：

H01L27/092 H01L27/04