高压集成电路
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
摘要
本实用新型揭示高压集成电路。高压集成电路包括低压控制电路、浮动电路、P衬底、设置在衬底中的深N阱和设置在P衬底中的多个P阱。P阱和深N阱充当隔离结构。低压控制电路位于深N阱的外部，且浮动电路位于深N阱的内部。深N阱形成高压结型势垒，以隔离控制电路与浮动电路。
基本信息
专利标题 ：
高压集成电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200620121400.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2006-08-11
授权号 ：
CN200941586Y
授权日 ：
2007-08-29
发明人 ：
蒋秋志黄志丰杨大勇
申请人 ：
崇贸科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾台北县
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200620121400.9
主分类号 ：
H02M1/08
IPC分类号 ：
H02M1/08 H02M3/07 H01L27/04
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法律状态
2009-10-07 ：
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2007-08-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
CN200941586Y.PDF
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