高压集成电路及半导体电路
授权
摘要
本实用新型涉及一种高压集成电路及半导体电路，通过预充电控制电路在检测到第一低压侧电源端口的输出电压满足预设阈值范围，且HVIC基础电路处于非保护状态时，向自举电路传输预充电信号，以使HVIC基础电路进入预充电状态；且预充电控制电路在HVIC基础电路为预充电状态时，向HVIC基础电路传输停止使能信号，使得HVIC基础电路停止驱动信号输出，进而自举电路可根据获取到的预充电信号，控制第一低压侧电源端口向第一高压侧浮动电源端口充电，实现对HVIC基础电路的预充电。本申请的集成HVIC，不需要外加自举电路，降低了产品应用成本，MCU程序设计时不需设计预充电时间；集成的HVIC可以更好保证掉电又上电这种情况下的自举电容电压，提高了产品可靠性。
基本信息
专利标题 ：
高压集成电路及半导体电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122628777.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-29
授权号 ：
CN216564919U
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
冯宇翔潘志坚谢荣才张土明左安超
申请人 ：
广东汇芯半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省佛山市南海区丹灶镇仙湖度假区养生路10号之一
代理机构 ：
深圳市辰为知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈建昌
优先权 ：
CN202122628777.0
主分类号 ：
H02M1/08
IPC分类号 ：
H02M1/08 H02M1/088
法律状态
2022-05-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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