高压集成电路及半导体电路
授权
摘要
本实用新型涉及一种高压集成电路及半导体电路，通过在P型衬底上设置有N外延层，N外延层包括N型高压区；N型高压区内设置有第一N+区；P型衬底内设置有第二N+区和P+区；HVJT终结端设置在N外延层上；HVNMOS管包括多晶硅栅、漏区、源区和体区；多晶硅栅设置在HVJT终结端的外侧，且与HVJT终结端电性连接；第一N+区形成漏区，第二N+区形成源区，P+区形成体区。当HVJT终结端处的静电电流达到阈值时，会向HVNMOS管的多晶硅栅输出一定电平，当该电平高于HVNMOS管的阈值电压时，HVNMOS管开始导通，静电电流从HVNMOS管释放到地，提高了HVIC在高压岛和低压区之间的ESD能力，避免了静电加载到高压端口和低压端口之间而造成HVJT终结端的击穿。
基本信息
专利标题 ：
高压集成电路及半导体电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122625872.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-29
授权号 ：
CN216213453U
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
冯宇翔潘志坚谢荣才张土明左安超
申请人 ：
广东汇芯半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省佛山市南海区丹灶镇仙湖度假区养生路10号之一
代理机构 ：
深圳市辰为知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈建昌
优先权 ：
CN202122625872.5
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2022-04-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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