双栅形高压MOS集成电路
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
摘要
双栅型高压MOS集成电路属半导体集成电路领域，它采用多个相同的双栅型高压NMOS器件组成，每个器件都采用双栅结构，利用双栅结构增大寄生双极晶体管的有效基区宽度，抑制寄生双极晶体管的激活，从而防止负阻击穿，与此同时，在电流能力不变条件下，面积仅比单栅器件有少量增加；本实用新型结构简单，制备方便，可采用标准n阱CMOS工艺实现，它可在等离子体显示、场致发光、打印和复印执行机构等自动控制和测量系统中作为驱动器而得到广泛应用。
基本信息
专利标题 ：
双栅形高压MOS集成电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN87208602.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
1987-05-25
授权号 ：
CN87208602U
授权日 ：
1988-07-20
发明人 ：
童勤义吴伟
申请人 ：
南京工学院
申请人地址 ：
江苏省南京市四牌楼2号
代理机构 ：
南京工学院专利事务所
代理人 ：
楼高潮
优先权 ：
CN87208602.X
主分类号 ：
H01L27/08
IPC分类号 ：
H01L27/08
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
法律状态
1992-09-16 ：
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
1989-03-29 ：
授权
1988-07-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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