高压厚栅氧的制作方法
授权
摘要
本发明公开了一种高压厚栅氧的制作方法，在硅衬底上沉积垫层氧化硅，在垫层氧化硅上沉积垫层氮化硅；进行浅槽隔离光刻、刻蚀、氧化硅填充及化学机械研磨；在硅片上依次沉积掩膜氮化硅、掩膜氧化硅；通过光刻和刻蚀工艺去除高压厚栅氧区的掩膜氧化硅和掩膜氮化硅，并保留高压厚栅氧区的两浅槽隔离之间的垫层氮化硅；进行第一次热氧化生长，使高压栅氧区的浅槽隔离角部钝化；去除高压厚栅氧区的两浅槽隔离之间的垫层氮化硅；进行第二次热氧化生长，生成高压厚栅氧。本发明的高压厚栅氧的制作方法制作得到的高压器件的厚栅氧，STI角部栅氧增厚钝化圆滑，能消除STI尖角问题，提高高压厚栅氧的可靠性及高压器件性能，并且工艺简单，成本低。
基本信息
专利标题 ：
高压厚栅氧的制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112635316A
申请号 ：
CN202011462782.2
公开（公告）日 ：
2021-04-09
申请日 ：
2020-12-14
授权号 ：
CN112635316B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
刘俊文
申请人 ：
华虹半导体（无锡）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区新洲路30号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
王江富
优先权 ：
CN202011462782.2
主分类号 ：
H01L21/28
IPC分类号 ：
H01L21/28 H01L29/423
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2021-04-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/28
申请日 : 20201214
申请日 : 20201214
2021-04-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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