允许金属接触图形未对准的半导体集成电路及其制造方法
专利权的视为放弃
摘要
本发明公开了一种制造场效应晶体管的方法。在该方法中，在半导体衬底的上表面上形成栅极叠层，然后在栅极叠层的侧壁上形成第一衬垫。下一步，在半导体衬底中或上沉积与第一衬垫自对准的硅化物。其后，形成覆盖第一衬垫的表面的第二衬垫，并在至少栅极叠层，第二衬垫，和硅化物上形成接触衬里。随后，在接触衬里上沉积层间介质。下一步，形成金属接触开口以暴露硅化物上的接触衬里。最后，延伸开口穿过接触衬里以暴露硅化物而不暴露衬底。
基本信息
专利标题 ：
允许金属接触图形未对准的半导体集成电路及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1779930A
申请号 ：
CN200510109507.1
公开（公告）日 ：
2006-05-31
申请日 ：
2005-10-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨海宁
申请人 ：
国际商业机器公司
申请人地址 ：
美国纽约
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
于静
优先权 ：
CN200510109507.1
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L21/28 H01L21/822 H01L21/768 H01L29/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2009-11-04 ：
专利权的视为放弃
2006-07-26 ：
实质审查的生效
2006-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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