对准图形、具有对准图形的半导体结构

授权

摘要

本实用新型涉及一种对准图形、具有对准图形的半导体结构，半导体结构包括：基底，基底包括若干第一区域以及第二区域；位于基底上的多个分立的第一功能层，第一区域具有至少两个所述第一功能层，第二区域的第一功能层横跨第二区域，且在沿第一区域指向第二区域方向上，第一区域的相邻第一功能层之间的距离小于第二区域的第一功能层的宽度；位于第一区域的基底上的多个分立的第二功能层，且在沿垂直于基底表面方向上，第二功能层的厚度与第一功能层的厚度不同，第一功能层以及第二功能层构成对准图形。本实用新型能够减小对准图形中空旷区域的面积，避免由于刻蚀残留物导致的缺陷问题，从而改善对准质量。

基本信息

专利标题：

对准图形、具有对准图形的半导体结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201920726667.8

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-05-20

授权号：

CN209859944U

授权日：

2019-12-27

发明人：

范聪聪

申请人：

长鑫存储技术有限公司

申请人地址：

安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

代理机构：

上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

成丽杰

优先权：

CN201920726667.8

主分类号：

H01L23/544

IPC分类号：

H01L23/544 H01L21/027 H01L21/033 G03F1/42