具有自对准沟道的宽带隙半导体器件及集成方案
公开
摘要
本发明涉及具有自对准沟道的宽带隙半导体器件及集成方案。提供了一种半导体器件。该半导体器件包括具有宽带隙半导体材料的衬底和布置在衬底的第一表面上方的外延层。具有第一导电类型的源极区可以布置在外延层中。具有第二导电类型的阱区可以与源极区横向相邻。第一导电类型可以不同于第二导电类型。栅极电介质层可以布置在阱区上方。场电介质层可以布置在与阱区相邻的外延层上方。
基本信息
专利标题 ：
具有自对准沟道的宽带隙半导体器件及集成方案
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613853A
申请号 ：
CN202111262020.2
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2021-10-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郑楚书H·莱恩维希蔡筱丽
申请人 ：
格芯新加坡私人有限公司
申请人地址 ：
新加坡新加坡市
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
贺月娇
优先权 ：
CN202111262020.2
主分类号 ：
H01L29/423
IPC分类号 ：
H01L29/423 H01L29/06 H01L29/78 H01L27/088 H01L21/82 H01L21/336 H01L21/28
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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