DFN功率集成半导体器件

授权

摘要

本实用新型公开一种DFN功率集成半导体器件，其芯片前后端面均通过导热胶层粘接有金属散热片，所述芯片左右端面均通过导热胶层粘接有左金属散热片和右金属散热片，此左金属散热片和右金属散热片分别开有若干个供左引脚、右引脚嵌入的左通孔和右通孔，所述左通孔、右通孔分别与左引脚、右引脚之间通过环氧封装体绝缘隔离；所述芯片的上表面通过导热胶层贴合有一均热板，此均热板与芯片相背的表面具有若干个间隔设置的凸起部，此凸起部嵌入环氧封装体内。本实用新型DFN功率集成半导体器件增加了有效散热面积，提高散热效果，加快了散热的速度，也防止环氧封装体与芯片分层，从而阻止水汽进入器件中。

基本信息

专利标题：

DFN功率集成半导体器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020444913.3

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-03-31

授权号：

CN211700244U

授权日：

2020-10-16

发明人：

彭兴义

申请人：

盐城芯丰微电子有限公司

申请人地址：

江苏省盐城市大丰区新丰镇梦想大道8号

代理机构：

苏州创元专利商标事务所有限公司

代理人：

王健

优先权：

CN202020444913.3

主分类号：

H01L23/31

IPC分类号：

H01L23/31 H01L23/367 H01L23/467