具有条形沟道的半导体器件及制造该器件的方法
专利权的终止
摘要
本发明涉及一种半导体器件(10),包括衬底(11)和半导体本体(2),所述半导体本体(2)包括其中形成场效应晶体管的硅条形半导体区(3、3A、3B),其中,沿条形半导体区(3、3A、3B)的纵向观看,连续地设置第一导电类型的源极区(4)、与第一导电类型相反的第二导电类型的沟道区(33)、以及第一导电类型的漏极区(5),并且其中所述沟道区(33)配置有栅极电介质(6),在所述栅极电介质(6)上第一栅电极(7)存在于条形半导体区(3、3A、3B)的第一垂直侧上,所述栅电极(7)配置有第一连接区(7A),并且在所述栅极电介质(6)上第二栅电极(8)存在于位于与第一垂直侧相对的条形半导体区(3、3A、3B)的第二垂直侧上,所述第二栅电极(8)配置有第二连接区(8A)。根据本发明,在连接区(7A、8A)的宽度上,第一和第二栅电极(7、8)完全填充条形半导体区(3、3A、3B)任一侧上的空间。在优选实施例中,栅电极(7、8)
基本信息
专利标题 :
具有条形沟道的半导体器件及制造该器件的方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101091259A
申请号 :
CN200580044976.8
公开(公告)日 :
2007-12-19
申请日 :
2005-12-19
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
尤里·V·波诺马廖夫
申请人 :
皇家飞利浦电子股份有限公司
申请人地址 :
荷兰艾恩德霍芬
代理机构 :
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 :
朱进桂
优先权 :
CN200580044976.8
主分类号 :
H01L29/786
IPC分类号 :
H01L29/786 H01L21/336
法律状态
2014-02-12 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101570138437
IPC(主分类) : H01L 29/786
专利号 : ZL2005800449768
申请日 : 20051219
授权公告日 : 20091104
终止日期 : 20121219
号牌文件序号 : 101570138437
IPC(主分类) : H01L 29/786
专利号 : ZL2005800449768
申请日 : 20051219
授权公告日 : 20091104
终止日期 : 20121219
2009-11-04 :
授权
2008-05-21 :
专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 皇家飞利浦电子股份有限公司
变更后权利人 : NXP股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 荷兰艾恩德霍芬
变更后权利人 : 荷兰艾恩德霍芬
登记生效日 : 20080418
变更前权利人 : 皇家飞利浦电子股份有限公司
变更后权利人 : NXP股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 荷兰艾恩德霍芬
变更后权利人 : 荷兰艾恩德霍芬
登记生效日 : 20080418
2008-02-27 :
实质审查的生效
2007-12-19 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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