具有条形沟道的半导体器件及制造该器件的方法

专利权的终止

摘要

本发明涉及一种半导体器件(10)，包括衬底(11)和半导体本体(2)，所述半导体本体(2)包括其中形成场效应晶体管的硅条形半导体区(3、3A、3B)，其中，沿条形半导体区(3、3A、3B)的纵向观看，连续地设置第一导电类型的源极区(4)、与第一导电类型相反的第二导电类型的沟道区(33)、以及第一导电类型的漏极区(5)，并且其中所述沟道区(33)配置有栅极电介质(6)，在所述栅极电介质(6)上第一栅电极(7)存在于条形半导体区(3、3A、3B)的第一垂直侧上，所述栅电极(7)配置有第一连接区(7A)，并且在所述栅极电介质(6)上第二栅电极(8)存在于位于与第一垂直侧相对的条形半导体区(3、3A、3B)的第二垂直侧上，所述第二栅电极(8)配置有第二连接区(8A)。根据本发明，在连接区(7A、8A)的宽度上，第一和第二栅电极(7、8)完全填充条形半导体区(3、3A、3B)任一侧上的空间。在优选实施例中，栅电极(7、8)

基本信息

专利标题：

具有条形沟道的半导体器件及制造该器件的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101091259A

申请号：

CN200580044976.8

公开（公告）日：

2007-12-19

申请日：

2005-12-19

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

尤里·V·波诺马廖夫

申请人：

皇家飞利浦电子股份有限公司

申请人地址：

荷兰艾恩德霍芬

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

朱进桂

优先权：

CN200580044976.8

主分类号：

H01L29/786

IPC分类号：

H01L29/786 H01L21/336

法律状态

2014-02-12 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101570138437
IPC(主分类) : H01L 29/786
专利号 : ZL2005800449768
申请日 : 20051219
授权公告日 : 20091104
终止日期 : 20121219

2009-11-04 ：

授权

2008-05-21 ：

专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)

变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 皇家飞利浦电子股份有限公司
变更后权利人 : NXP股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 荷兰艾恩德霍芬
变更后权利人 : 荷兰艾恩德霍芬
登记生效日 : 20080418

2008-02-27 ：

实质审查的生效

2007-12-19 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

文件下载

暂无PDF文件可下载