用于形成具有自对准硅化物层的半导体器件的方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
描述了一种用于形成半导体器件且选择性地形成自对准硅化物层的方法。在一个实施例中，该方法包括：在具有第一区域(20)和第二区域(24)的半导体衬底上淀积金属层，其中第一区域和第二区域包含硅；移除第二栅电极上的金属层；以及使金属层与第一区域反应以在第一区域上形成自对准硅化物层(48)。在一个实施例中，第一区域和第二区域分别包括第一栅电极和第二栅电极。
基本信息
专利标题 ：
用于形成具有自对准硅化物层的半导体器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101346809A
申请号 ：
CN200580052115.4
公开（公告）日 ：
2009-01-14
申请日 ：
2005-11-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
瑞安·罗斯格列格·布莱克尔曼
申请人 ：
飞思卡尔半导体公司
申请人地址 ：
美国得克萨斯
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
刘光明
优先权 ：
CN200580052115.4
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2010-12-29 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101058191256
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利申请号 : 2005800521154
公开日 : 20090114
号牌文件序号 : 101058191256
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利申请号 : 2005800521154
公开日 : 20090114
2009-03-04 ：
实质审查的生效
2009-01-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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