具双层硅化物结构的半导体器件
专利权的终止
摘要
一种具双层硅化物结构的半导体器件及其制造方法在后续的热处理过程中均质地保持硅化钛表面以改进硅化钛在高温下的稳定性。双层硅化物是多晶硅上淀积硅化物形成温度为预定的第一温度的金属形成第一金属硅化物层，并淀积硅化物形成温度为低于第一温度的第二温度的金属形成第二金属硅化物层，从而大大改善了由硅化钛构成的传统半导体器件在后续的热处理过程中出现的不稳定性，避免了晶粒生长型性变形和凝聚等现象。
基本信息
专利标题 ：
具双层硅化物结构的半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1081283A
申请号 ：
CN93106512.7
公开（公告）日 ：
1994-01-26
申请日 ：
1993-05-29
授权号 ：
CN1034198C
授权日 ：
1997-03-05
发明人 ：
白寿铉崔珍奭
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道水原市
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
肖掬昌
优先权 ：
CN93106512.7
主分类号 ：
H01L21/78
IPC分类号 ：
H01L21/78 H01L21/283
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
法律状态
2013-07-17 ：
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101490322793
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利号 : ZL931065127
申请日 : 19930529
授权公告日 : 19970305
期满终止日期 : 20130529
号牌文件序号 : 101490322793
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利号 : ZL931065127
申请日 : 19930529
授权公告日 : 19970305
期满终止日期 : 20130529
1997-03-05 ：
授权
1995-05-24 ：
实质审查请求的生效
1994-01-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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