具有自对准体的半导体器件及其形成方法
专利权的终止
摘要
一种半导体器件包括体区，该体区具有：源区、漏区、插在源区与漏区之间的沟道区以及从该沟道区的端部开始延伸的体区。在沟道区和体区上形成栅极图形，而且体接触使栅极图形连接到体区。体区延伸部分的侧壁自对准栅极图形的侧壁。还公开了用于形成具有自对准体和体接触的半导体器件的方法。
基本信息
专利标题 ：
具有自对准体的半导体器件及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1767213A
申请号 ：
CN200510106912.8
公开（公告）日 ：
2006-05-03
申请日 ：
2005-09-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郑载勋林勋郑舜文赵厚成
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
林宇清
优先权 ：
CN200510106912.8
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2015-11-11 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101633281033
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利号 : ZL2005101069128
申请日 : 20050923
授权公告日 : 20090902
终止日期 : 20140923
号牌文件序号 : 101633281033
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利号 : ZL2005101069128
申请日 : 20050923
授权公告日 : 20090902
终止日期 : 20140923
2009-09-02 ：
授权
2007-10-31 ：
实质审查的生效
2006-05-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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