在CMOS技术中形成自对准双重硅化物的方法
专利申请权、专利权的转移
摘要
一种制造互补金属氧化物半导体(CMOS)器件的方法，其中该方法包括如下步骤：在半导体衬底(102)中形成用于容纳第一类型半导体器件(130)的第一阱区(103)；在半导体衬底(102)中形成用于容纳第二类型半导体器件(140)的第二阱区(104)；用掩模(114)屏蔽第一类型半导体器件(130)；在第二类型半导体器件(140)上淀积第一金属层(118)；在第二类型半导体器件(140)上形成第一自对准硅化物；去除掩模(114)；在第一和第二类型半导体器件(130、140)上淀积第二金属层(123)；和在第一类型半导体器件(130)上形成第二自对准硅化物。该方法只需要一个图案层次，并消除了图案重叠，这还简化了在不同器件上形成不同硅化物材料的工艺。
基本信息
专利标题 ：
在CMOS技术中形成自对准双重硅化物的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101069281A
申请号 ：
CN200580041392.5
公开（公告）日 ：
2007-11-07
申请日 ：
2005-12-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
小希里尔·卡布莱尔切斯特·T.·齐奥波科夫斯基约汉·J.·爱丽斯－莫纳甘方隼飞克里斯蒂安·拉沃伊骆志炯詹姆斯·S.·纳考斯安·L.·斯廷根克莱门特·H.·万
申请人 ：
国际商业机器公司
申请人地址 ：
美国纽约
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
杜娟
优先权 ：
CN200580041392.5
主分类号 ：
H01L21/8238
IPC分类号 ：
H01L21/8238 H01L21/3205 H01L21/4763 H01L21/44
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8238
互补场效应晶体管，例如CMOS
法律状态
2018-04-17 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 21/8238
登记生效日 : 20180328
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 格罗方德半导体股份有限公司
变更后权利人 : 奥瑞加创新股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 开曼群岛（英）大开曼岛
变更后权利人 : 加拿大安大略省
登记生效日 : 20180328
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 格罗方德半导体股份有限公司
变更后权利人 : 奥瑞加创新股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 开曼群岛（英）大开曼岛
变更后权利人 : 加拿大安大略省
2017-02-01 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101745823014
IPC(主分类) : H01L 21/8238
专利号 : ZL2005800413925
登记生效日 : 20170109
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 国际商业机器公司
变更后权利人 : 格罗方德半导体美国第二有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 美国纽约
号牌文件序号 : 101745823014
IPC(主分类) : H01L 21/8238
专利号 : ZL2005800413925
登记生效日 : 20170109
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 国际商业机器公司
变更后权利人 : 格罗方德半导体美国第二有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 美国纽约
2017-02-01 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101745823015
IPC(主分类) : H01L 21/8238
专利号 : ZL2005800413925
登记生效日 : 20170109
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 格罗方德半导体美国第二有限责任公司
变更后权利人 : 格罗方德半导体股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 开曼群岛(英)大开曼岛
号牌文件序号 : 101745823015
IPC(主分类) : H01L 21/8238
专利号 : ZL2005800413925
登记生效日 : 20170109
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 格罗方德半导体美国第二有限责任公司
变更后权利人 : 格罗方德半导体股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 开曼群岛(英)大开曼岛
2012-05-30 ：
授权
2008-01-02 ：
实质审查的生效
2007-11-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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