氮化硅层的制作方法和自对准金属硅化物层的制作方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种氮化硅层的制作方法，是利用一混合气体作为制作一氮化硅层的反应气体，其中混合气体包括硅烷(SiH4)、氮气(N2)与微量的氨(NH3)。因为在上述混合气体中只提供微量甚至是流量为0的氨，所以能够大幅降低所形成的氮化硅层的蚀刻速度，使得这种氮化硅层能够抵挡蚀刻过程所造成的损害。
基本信息
专利标题 ：
氮化硅层的制作方法和自对准金属硅化物层的制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1940130A
申请号 ：
CN200510107199.9
公开（公告）日 ：
2007-04-04
申请日 ：
2005-09-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘文裕施良桦吴一经
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510107199.9
主分类号 ：
C23C16/448
IPC分类号 ：
C23C16/448 C23C16/34
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/448
产生反应气流的方法，例如通过母体材料的蒸发或升华
法律状态
2009-07-15 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-05-30 ：
实质审查的生效
2007-04-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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